Printer Friendly

Daugiastandarciu siustu\tj-imtuvu lc itampa valdomu generatoriu pagrindiniu parametru analize.

Santrauka. Pateikiama LC itampa valdomu generatoriu (IVG) pagrindiniu parametru analize. Pagrindiniai IVG parametrai: integriniu grandynu (IG) technologinis Pingsnis hp, nm; maitinimo itampa U, V; IVG centrinis daPnis [F.sub.0], GHz; daPnio valdymo ruoPas ?F, GHz, %; fazes triukUmas FT, dBc/Hz; naudojamoji galia P, mW. Analizuojami pagrindiniai IVG parametrai bei kokybes funkcijos [FOM.sub.T]; [FOM.sub.TT] , remiantis 20 straipsniu, publikuotu 2012-2016 m. ApPvelgus straipsnius galima teigti, kad daugiausiai IVG projektuojami 180 nm (55 %) ir 65 nm (25 %) IG KMOP technologiniuose Pingsniuose. ApPvelgtuose IVG maitinimo itampa U kinta 0,3-3 V, daPnio valdymo ruoPas 2,05-13 GHz, fazes triukUmas -83,8-(- 132,7) dBc/Hz, naudojamoji galia 0,6-50 mW. IVG kokybei ivertinti pasiulyta papildyta [FOM.sub.TT] kokybes funkcija. Taikant FOMTT kokybes funkcija papildomai ivertinamas IVG IG gamybos technologinis Pingsnis bei maitinimo itampa. DidPiausioji apskaiciuota [FOM.sub.TT] verte -214 dBc/Hz, o maPiausioji apskaiciuota [FOM.sub.TT] verte -150,2 dBc/Hz.

ReikUminiai PodPiai: itampa valdomas generatorius, KMOP IG technologija, integriniai grandynai, lustai.

Ivadas

eiuo metu bevielio ryUio technologijos sparciai tobuleja. Daugelis Pmoniu naudojasi iUmaniaisiais bevielio ryUio irenginiais, kurie gali veikti keliais bevielio ryUio standartais. Norint pasiekti didesni bevieliu iUmaniuju prietaisu funkcionaluma bevielio ryUio standartu skaicius vis labiau didinamas. IUmanusis bevielis irenginys gali komunikuoti skirtingais bevielio ryUio standartais keliais budais. Pirmasis--tai irenginyje sumontuoti lustai, atsakingi uP tam tikra bevielio ryUio standarta. Antrasis--tai vienas universalus lustas, gebantis dirbti daugiastandarciu, daugiajuosciu rePimu. eis sprendimas, lyginant su daugialuste sistema, turi kelis pagrindinius privalumus. Naudojant viena universalu lusta mobiliajame iUmaniajame prietaise galima itin sumaPinti lustu, skirtu daugiastandarciam ryUiui perduoti, plota. I tai atsiPvelgus likes plotas gali buti panaudotas papildomoms irenginio funkcijoms. Naudojant viena lusta pats irenginys gali buti kompaktiUkesnis. Kitas privalumas--sumaPejusi suvartojama energija.

Norint naudotis tame paciame luste keliomis bevielio ryUio technologijomis butinas daugiastandartis, daugiajuostis siustuvas-imtuvas (angl. milti-standard, multi-band transceiver). Imtuva sudaro maPatriukUmis stiprintuvas (MS), demoduliatorius, Pemuju daPniu filtras bei PemadaPne sistema. Siustuvas sudarytas iU PemadaPnes sistemos, Pemuju daPniu filtro, moduliatoriaus ir galios stiprintuvo (GS). Bevielio ryUio siustuve-imtuve kaip daPnio sintezatorius daPniausiai yra naudojama fazes derinimo kilpa FDK (angl. phase locked loop (PLL). DaPniausiai tokie siustuvai-imtuvai veikia daPniu ruoPe nuo 0,1 GHz iki 13 GHz. Norint padengti platu daPniu ruoPa, reikalinga fazes derinimo kilpa, kurioje daPni garantuos keletas LC itampa valdomu generatoriu (LC-IVG).

Klasikine FDK sudaro penki pagrindiniai komponentai: fazes detektorius (FD), kruvio pompa (KP), Pemuju daPniu filtras (ADF), itampa valdomas generatorius (IVG) ir daPnio daliklis (/N). FD nustato daPnio ir fazes neatitikima tarp atraminio [f.sub.REF] ir griPtamojo ryUio [f.sub.DIV] iejimu. Kitas etapas--FD UP arba DN signalu generavimas. UP signalai generuojami, kai griPtamojo ryUio signalo [f.sub.DIV] daPnis atsilieka nuo [f.sub.REF]. PrieUingu atveju generuojami DN signalai. KP gaunant UP signala yra generuojamas teigiamas sroves impulsas, prieUingu atveju, gavus DN signala,--generuojamas impulsas, kuris yra neigiamas. Sroves impulsai iU KP patenka i ADF. Cia vyksta signalu integravimas ir fltravimas. ADF siuncia valdymo signala i IVG, tuomet IVG iUejimo daPnis yra didinamas arba maPinamas, taip fazes paklaida yra paUalinama. Jei FD iUsiuncia UP signala, tuomet IVG didina iUejimo daPni, jei iUsiunciamas DN signalas--IVG iUejimo daPnis maPinamas.

Bazinis LC-IVG

Bazine LC-IVG principine elektrine schema pateikta 1 pav. Pagrindines LC-IVG sudedamosios dalys yra tokios: aukUtos kokybes induktyvumo rite L, varaktoriu ir perjungiamu kondensatoriu blokas (Uie elementai kartu su L sudaro LC kontura), neigiamo impedanso tranzistoriai (VT1, VT2) ir sroves valdymo blokas.

LC-IVG daPnis keiciamas dviem budais--galimas apytikslis bei precizinis generuojamo daPnio valdymas. Apytiksliai nustatant daPni yra naudojamas perjungiamu talpu blokas. eis blokas gali buti sudarytas iU keleto kondensatoriu masyvu, sujungtu lygiagreciai.

Priklausomai nuo reikiamos talpos Uie masyvai skaitmeniUkai ijungiami arba iUjungiami. eis ijungiamu arba iUjungiamu talpu masyvu valdymas gali buti igyvendintas panaudojus tranzistorius arba kondensatorius.

PreciziUkai valdant LC-IVG daPni yra naudojamas varaktoriu blokas. eis blokas sudarytas iU varaktoriu, kurie norint padidinti talpa daPniausiai jungiami lygiagreciai. Keiciant valdymo itampa [V.sub.vald]. IVG daPni galima keisti preciziUkai, tiksliai. Itampa [V.sub.vald] daPniausiai keiciama nuo 0 V iki IVG maitinimo itampos.

Srove valdoma siekiant optimizuoti galios sanaudas bei tiksliai generuoti daPnio signala, kintant aplinkos salygoms: temperaturai bei maitinimo itampoms. 3 pav. pateiktoje LC-IVG principineje elektrineje schemoje srove valdoma skaitmeniUkai (Macaitis, Barzdenas 2014).

LC-IVG pagrindiniu parametru analize

Straipsnyje tesiama naujausiu LC-IVG pagrindiniu parametru analize. Analize papildyta Ualtiniais, paskelbtais 2015-2016 m. Be to, analizes iUsamumui padidinti yra pasiulyta iUplestine [FOM.sub.TT] kokybes funkcija, kuri aptariama toliau. Ankstesniame darbe (Macaitis, Navickas 2015) LC-IVG buvo analizuoti Ualtiniuose, paskelbtuose 2003-2014 m.

eioje apPvalgoje analizuojami skirtingu LC-IVG pagrindiniai parametrai, surinkti iU 20 straipsniu, publikuotu 2012-2016 m. Analizes rezultatai pateikti 1 lenteleje.

ealtiniai analizei atrinkti pagal tokius reikalavimus:

--straipsnis, kuriame gauti LC-IVG modeliavimo rezultatai, turi buti paskelbtas tarptautiniame recenzuojamame leidinyje;

--LC-IVG pagrindiniai parametrai turi buti pateikti atliekant suprojektuotos topologijos skaiciavimus;

--Ualtinyje turi buti pateikti tokie LC-IVG parametrai: IG technologinis Pingsnis hp; maitinimo itampa U; IVG centrinis daPnis [F.sub.0]; maPiausiasis bei didPiausiasis neUlio daPniai; fazes triukUmas FT; naudojamoji galia;

--Pinant LC-IVG parametrus, buvo apskaiciuotas daPnio valdymo ruoPas, iUreikUtas %, lyginant su centriniu daPniu ir [FOM.sub.T] bei [FOM.sub.TT] kokybes funkcios.

Kadangi IVG turi kelis pagrindinius parametrus, juos tarpusavyje palyginti tampa sudetinga. Norint charakterizuoti IVG kokybe, taikoma FOMT kokybes funkcija (angl. figure of merit). IVG kokybes funkcija FOMT apskaiciuojama pagal formule:

[MATHEMATICAL EXPRESSION NOT REPRODUCIBLE IN ASCII] (1)

cia [F.sub.0]--IVG centrinis daPnis; ?F--daPnio valdymo ruoPas; FT--fazes triukUmas; dF--daPnio poslinkis, ties kuriuo nustatomas fazes triukUmas; P--naudojamoji galia.

Kadangi [FOM.sub.T] kokybes funkcija ivertina ne visus IVG parametrus, taip pat pasiulyta iUplestine kokybes funkcija [FOM.sub.TT], kuri papildomai ivertina integriniu grandynu technologini Pingsni hp ir maitinimo itampa U.

IUplestine kokybes funkcija FOMTT apskaiciuojama pagal formule:

[MATHEMATICAL EXPRESSION NOT REPRODUCIBLE IN ASCII] (2)

Siekiant nenutolti nuo pradines [FOM.sub.T[ kokybes funkcijos verciu, naujiems parametrams ivestas dalybos koeficientas.

IU 1 lenteles matyti, kad LC-IVG daPniausiai projektuojami taikant 180 nm technologinio Pingsnio integriniu grandynu gamybos technologija. eia technologija suprojektuoti LC-IVG sudaro 55 % visu apPvelgtu darbu. 25 % visu apPvelgtu darbu suprojektuoti naudojant 65 nm technologinio Pingsnio integriniu grandynu gamybos technologija. ApPvalgoje maPiausiai LC-IVG, pagamintu naudojant 130 nm ir 40 nm technologini Pingsni. Jie sudaro 15 % ir 5 % visu apPvelgtu darbu. Kadangi 40 nm technologinis Pingsnis Uiuolaikineje IG pramoneje yra naujas, darbu Uia tematika yra labai nedaug.

IU LC-IVG maitinimo itampos pasiskirstymo apPvelgtuose darbuose (1 lentele) matoma, kad LC-IVG maitinimo itampos skirtingo technologinio Pingsnio IG kinta nuo 0,3 V (Yang et al. 2013) iki 3 V (Nakamura et al. 2012). Analizuojant maitinimo itampas, 180-130 nm technologinio Pingsnio integriniame grandyne matyti didesnes maitinimo itampos vertes (3-0,4 V) nei 64-40 nm technologinio Pingsnio integriniame grandyne (1,2-0,3 V).

Daugiastandarciai siustuvai-imtuvai turi aprepti platu daPniu ruoPa, todel analizuoti darbai, kuriuose pateikti duomenys apie plataus daPniu ruoPo neUlio LC-IVG. LC-IVG neUlio daPnio pasiskirstymas apPvelgtuose darbuose pateiktas 2 pav. eis pasiskirstymas rodo, kad iUnagrinetuose darbuose LC-IVG neUlio daPnis kinta nuo 2,05 GHz (Jeong et al. 2012) iki 13,93 GHz (Nguyen, Lee 2012).

LC-IVG fazes triukUmo pasiskirstymas ties tam tikru poslinkio daPniu apPvelgtuose darbuose pateiktas 3 pav. Reikia atkreipti demesi, kad darbe (Kim et al. 2013) fazes triukUmas pateiktas ties 10 MHz poslinkio daPniu, likusiuose darbuose--ties 1 MHz. eis pasiskirstymas rodo, kad analizuotuose LC-IVG fazes triukUmas kito nuo -83,82 dBc/Hz (Jeong et al. 2012) iki -132,68 dBc/Hz (Aqeeli et al. 2014).

LC-IVG [FOM.sub.TT] priklausomybe nuo fazes triukUmo ir naudojamosios galios pateikta 4 pav. [FOM.sub.TT] maksimumas (-213,95 dBc/Hz) gaunamas esant maPiausiam fazes triukUmui (-132,68 dBc/Hz) bei maPiausiai naudojamajai galiai (2,21 mW) (Aqeeli et al. 2014).

LC-IVG [FOM.sub.TT] priklausomybe nuo technologinio Pingsnio ir maitinimo itampos pateikta 5 pav. [FOM.sub.TT] ekstremumas (-213,95 dBc/Hz) gaunamas esant 130 nm technologiniam Pingsniui ir standartinei (1,2 V) maitinimo itampai (Aqeeli et al. 2014).

IUvados

IU apPvelgtu straipsniu galima teigti:

1. DaPniausiai IVG projektuojami 180 nm (55 %) ir 65 nm (25 %) KMOP IG technologiniuose Pingsniuose.

2. IVG maitinimo itampa U kinta 0,3; 3 V.

3. DaPnio valdymo ruoPas--2,05; 13 GHz.

4. Fazes triukUmas -83,8; -132,7 dBc/Hz.

5. Naudojamoji galia--0,6; 50 mW.

6. IVG kokybei ivertinti pasiulyta papildyta [FOM.sub.TT] kokybes funkcija, kuri papildomai ivertina IVG IG gamybos technologini Pingsni ir maitinimo itampa.

7. Geriausias apskaiciuotas [FOM.sub.TT] rezultatas -214 dBc/Hz (Jeong et al. 2012), blogiausias -150,2 dBc/Hz (Aqeeli et al. 2014).

8. Geriausiam [FOM.sub.TT] rezultatui budingas maPas fazes triukUmas (-132,68 dBc/Hz), maPa naudojamoji galia (2,21 mW), LC-IVG technologinis Pingsnis--130 nm, maitinimo itampa--1,2 V

Literatura

Aqeeli, M., et al. 2014. Low-power and wideband LC-VCO for WiMAX in CMOS, in Proceedings of the UKSim-AMSS 16th International Conference on Computer Modelling and Simulation (UKSim 2014), 26-28 March 2014, Cambridge, United Kingdom, 553-557. https://doi.org/10.1109/uksim.2014.79

Bajestan, M. M., et al. 2014. A 2.75-6.25 GHz low-phase-noise quadrature VCO based on a dual-mode ring resonator in 65nm CMOS, in Proceedings of the Radio Frequency Integrated Circuits Symposium, 1-3 June 2014, Tampa, USA, 265-268.

Demartinos, A. C, et al. 2015. A 3GHz VCO suitable for MIPI M-PHY serial interface, Design & Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era (DTIS), 1-6.

Dixit, M.; Shrivastava, S. C; Dixit, P. 2015. A 5-5.47 GHz LC-VCO using varactor configuration in 0.18 um CMOS, in Proceedings of the 2nd International Conference on Signal Processing and Integrated Networks (SPIN 2015), 19-20 February 2015, Noida, India, 87-89.

Huang, J. F., et al. 2014. Chip design of a 5.6-GHz 1-V wide tuning range frequency synthesizer with Gm-boosting colpitts VCO for biomedical application, Bioelectronics and Bioinformatics (ISBB), 1-5.

Jang, S. L.; Jain, S. 2014. Dual C-and S-Band CMOS VCO using the Shunt varactor switch, Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, IEEE Transactions 23(9): 1808-1813.

Jeong, Y. J., et al. 2012. Low-power CMOS VCO with a low-current, high-Q active inductor, IET Microwaves, Antennas & Propagation 6(7): 788-792. https://doi.org/10.1049/iet-map.2011.0332

Kim, T., et al. 2013. A two-point tuning LC VCO with minimum variation of K VCO2 for quad-band GSM/GPRS/EDGE polar transmitter in 65-nm CMOS, SoC in Proceedings of the International SoC Design Conference (ISOCC 2013), 17-19 November 2013, Busan, South Korea, 130-133.

Macaitis, V; Barzdenas, V 2014. AukUtadaPniu, 65 nm KMOP technologijos, LC itampa valdomu generatoriu projektavimas ir tyrimas, Mokslas--Lietuvos ateitis: elektronika ir elektrotechnika 6(2): 198-201.

Macaitis, V; Navickas, R. 2015. CMOS technology based LC VCO review, in Proceedings of the Open Conference of Electrical, Electronic and Information Sciences (eStream 2015), 21 April 2015, Vilnius, Lithuania, 1-4.

Nakamura, T., et al. 2012. A push-push VCO with 13.9-GHz wide tuning range using loop-ground transmission line for full-band 60-GHz transceiver, IEEE Journal of Solid-State Circuits 47(6): 1267-1277. https://doi.org/10.1109/JSSC.2012.2187470

Nguyen, T. N; Lee, J. W 2012. Ultralow-power Ku-band dual-feedback Armstrong VCO with a wide tuning range, Circuits and Systems II: Express Briefs (7): 394-398.

Saeedi, S.; Emami, A. 2014. An 8 GHz first-order frequency synthesizer based on phase interpolation and quadrature frequency detection in 65 nm CMOS, in Proceedings of the IEEE Custom Integrated Circuits Conference (CICC 2014), 15-17 September 2014, San Jose, USA, 1-4. https://doi.org/10.1109/CICC.2014.6946021

Wang, T. P.; Wang, S. Y 2013. A low-voltage low-power low-phase-noise wide-tuning-range 0.18-[micro]m CMOS VCO with high-performance FOM T of -196.3 dBc/Hz, in Proceedings of the IEEE/MTT-S International Microwave Symposium (MTT 2013), 2-7 June 2013, Seattle, USA, 1-4.

Wang, T. P.; Wang, S. Y 2015. Frequency-tuning negative-conductance boosted structure and applications for low-voltage low-power wide-tuning-range VCO, Very Large Scale Integration (VLSI) Systems 23(6): 137-144.

Wang, T. P.; Yan, Y M. 2014. A low-voltage low-power wide-tuning-range hybrid class-AB/class-B VCO with robust start-up and high-performance FOMt, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 62(3): 521-531. https://doi.org/10.1109/TMTT.2014.2300443

Wang, W, et al. 2014. An 8 to 9 GHz LC-VCO and harmonic-suppressed CML divider with low supply voltage for FMCW synthesizer, Solid-State and Integrated Circuit Technology 1-3.

Weng, J. H, et al. 2015. A 0.8/0.9-V 5.4-GHz phase-locked loop with inductance coupled VCO in 0.18-[micro]m CMOS, in International Symposium on Bioelectronics and Bioinformatics (ISBB), 14-17 October 2015, Beijing, China, 75-78. https://doi.org/10.1109/ISBB.2015.7344927

Xu, X.; Yang, X.; Yoshimasu, T. 2015. 2.4-GHz band low-voltage class-C PMOS VCO IC with amplitude feedback loop, in Proceedings of the Asia-Pacifc Microwave Conference (APMC 2015), 6-9 December 2015, Nanjing, China, 1-3. https://doi.org/10.1109/apmc.2015.7413483

Yang, X., et al. 2013. 2.4 GHz-band ultra-low-voltage class-C LC-VCO IC in 65 nm CMOS technology, in Proceedings of the Asia Pacifc Microwave Conference (APMC 2013), 5-8 November 2013, Seoul, South Korea, 325-327. https://doi.org/10.1109/APMC.2013.6695134

Yuyu, C, et al. 2015. A temperature compensated VCO using feed-forward gain multiplication for cellular applications, in Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), 30 November 2015, Phoenix, USA, 187-190.

Sen, W., et al. 2016. A low-phase-noise and wide-tuning-range CMOS/IPD transformer-based VCO with high [FOM.sub.T] of -206.8 dBc/Hz, IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology 6(1): 145-152. https://doi.org/10.1109/TCPMT.2015.2502581

Vytautas MACAITIS (1,2), romualdas NAVICKAS (1)

(1) Vilniaus Gedimino technikos universitetas, Vilnius, Lietuva (2) FTMC, puslaidininkiu fzikos institutas, Vilnius, Lietuva

El. paUtas: vytautas.macaitis@ftmc.lt; romualdas.navickas@vgtu.lt

ANALYSIS OF MAIN LC-VCO PARAMETERS FOR MULTISTANDARD TRANCEIVERS

V. Macaitis, R. Navickas

Abstract

This paper reviews CMOS LC Voltage Controlled Oscillators (VCO) for wireless multi-standard transceivers and wireless communications. The main parameters, such as IC technology, phase noise, carrier frequency, supply voltage, tuning range, power dissipation, figure of merit ([FOM.sub.T] and [FOM.sub.TT]) were reviewed in this paper. These parameters were taken of 20 articles published in 2012-2016 years. Of the reviewed articles it can be said that most VCOs was designed in 180 nm (55%) and 65 nm (25%) CMOS IC technology. [FOM.sub.TT] quality function has been proposed for extended VCO quality assessment. [FOM.sub.TT] quality function additionally evaluates VCO IC technology, and the power supply.

Keywords: LC-VCO, nano electronics, CMOS technology, integrated circuits.

Caption: 1 pav. Bazinio LC-IVG principine elektrine schema Fig. 1. Schematic of basic LC-VCO

Caption: 2 pav. LC-IVG neUlio daPnio pasiskirstymo statistika apPvelgtuose darbuose Fig. 2. LC-VCOs carrier frequency in reviewed sources

Caption: 3 pav. LC-IVG fazes triukUmo pasiskirstymo statistika apPvelgtuose darbuose Fig. 3. LC-VCOs phase noise in reviewed sources

Caption: 4 pav. LC-IVG [FOM.sub.TT] priklausomybe nuo P ir FT Fig. 4. LC-VCOs [FOM.sub.TT] function of P and PN

Caption: 5 pav. LC-IVG [FOM.sub.TT] priklausomybe nuo U ir hp Fig. 5. LC-VCOs [FOM.sub.TT] function of V dd and hp
1 lentele. LC-IVG pagrindiniu parametru palyginimas
Table 1. Main parameters comparison of LC-VCOs

Straipsnis                hp, nm  Metai  U,    [F.sub.0],  ?F, GHz
                                         V     GHz

(Sen et al. 2016)         180     2016   0,80   6,85       4,50
(Wang, T. P., Wang,       180     2014   0,65   4,23       2,05
S. Y. 2015)
(Wang, T. P., Wang, S.Y.  180     2013   0,65   4,00       1,91
2013)
(Jang, Jain 2014)         180     2014   0,75   5,94       1,45
(Wang, Yan 2014)          180     2014   0,75  13,00       3,33
(Xu et al. 2015)          180     2015   0,50   2,39       0,28
(Weng et al. 2015)        180     2015   0,90   4,90       1,00
(Nakamura et al. 2012)    180     2012   3,00   12,31      3,46
(Huang et al. 2014)       180     2014   1,00   5,56       0,85
(Dixit et al. 2015)       180     2015   1,00   5,41       0,55
(Jeong et al. 2012)       180     2012   1,90   2,05       1,29
(Aqeeli et al. 2014)      130     2014   1,20   5,71       2,15
(Nguyen, Lee 2012)        130     2012   0,40  13,93       1,85
(Wang et al. 2014)        130     2014   0,80   8,58       1,33
(Bajestan et al. 2014)     65     2014   0,60   4,50       3,50
(Kim et al. 2013)          65     2013   1,20   3,54       1,22
(Saeedi, Emami 2014)       65     2014   1,00   8,75       1,50
(Yang et al. 2013)         65     2013   0,30   2,33       0,21
(Demartinos et al. 2015)   65     2015   1,20   2,70       1,60
(Yuyu et al. 2015)         40     2015   1,20   3,73       1,67

Straipsnis                ?F,    FT (*),   P, mW  [FOM.sub.T],
                          %      dBc / Hz         dBc / Hz

(Sen et al. 2016)         65,69  -124,0     9,2   -207,43
(Wang, T. P., Wang,       48,52  -115,1     2,4   -197,59
S. Y. 2015)
(Wang, T. P., Wang, S.Y.  47,7   -115,6     3,0   -196,45
2013)
(Jang, Jain 2014)         24,43  -119,0     5,0   -195,24
(Wang, Yan 2014)          25,62  -101,4     2,4   -188,05
(Xu et al. 2015)          11,72  -117,4     4,0   -180,32
(Weng et al. 2015)        20,41  -109,6     4,8   -182,79
(Nakamura et al. 2012)    28,11  -108,0    50,0   -181,79
(Huang et al. 2014)       15,3   -105,8     5,6   -176,94
(Dixit et al. 2015)       10,18  -100,5     5,0   -168,32
(Jeong et al. 2012)       63,08   -83,8    11,2   -155,54
(Aqeeli et al. 2014)      37,69  -132,7     2,2   -215,88
(Nguyen, Lee 2012)        13,29  -100,6     0,6   -188,16
(Wang et al. 2014)        15,51  -106,2     4,0   -182,66
(Bajestan et al. 2014)    77,78  -110,0     9,4   -191,17
(Kim et al. 2013)         34,46  -142,1    13,7   -192,46
(Saeedi, Emami 2014)      17,14  -108,0     2,5   -187,56
(Yang et al. 2013)         9,03  -111,0     0,6   -179,81
(Demartinos et al. 2015)  59,26   -94,0     7,7   -169,23
(Yuyu et al. 2015)        44,83  -120,0    10,8   -194,12

Straipsnis                [FOM.sub.TT],
                          dBc / Hz

(Sen et al. 2016)         -205,84
(Wang, T. P., Wang,       -196,91
S. Y. 2015)
(Wang, T. P., Wang, S.Y.  -195,77
2013)
(Jang, Jain 2014)         -193,93
(Wang, Yan 2014)          -186,74
(Xu et al. 2015)          -180,78
(Weng et al. 2015)        -180,69
(Nakamura et al. 2012)    -174,47
(Huang et al. 2014)       -174,38
(Dixit et al. 2015)       -165,76
(Jeong et al. 2012)       -150,2
(Aqeeli et al. 2014)      -213,95
(Nguyen, Lee 2012)        -191,00
(Wang et al. 2014)        -182,49
(Bajestan et al. 2014)    -195,26
(Kim et al. 2013)         -193,54
(Saeedi, Emami 2014)      -189,43
(Yang et al. 2013)        -186,91
(Demartinos et al. 2015)  -170,31
(Yuyu et al. 2015)        -197,31

(*) Kim et al. (2013) Ualtinyje fazes triukUmas (FT) pateiktas esant
10 MHz poslinkio daPniui nuo centrinio daPnio, kituose Ualtiniuose--1
MHz.
COPYRIGHT 2017 Vilnius Gediminas Technical University
No portion of this article can be reproduced without the express written permission from the copyright holder.
Copyright 2017 Gale, Cengage Learning. All rights reserved.

 
Article Details
Printer friendly Cite/link Email Feedback
Author:Macaitis, Vytautas; Navickas, Romualdas
Publication:Science - Future of Lithuania
Article Type:Report
Date:Jun 1, 2017
Words:3124
Previous Article:Laikinio skaitmeninio keitiklio skiriamosios gebos didinimas.
Next Article:Paslaugu kokybes utikrinimas naudojant OpenFlow protokola.
Topics:

Terms of use | Privacy policy | Copyright © 2018 Farlex, Inc. | Feedback | For webmasters